인싸잇=유승진 기자 ｜ SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 생산 거점으로 중장기 투자 중인 용인 반도체 클러스터의 1기 팹(fab·반도체 생산공장) 완공을 위해 21조 원 대 추가 투자를 확정했다. AI 메모리 수요 급증에 선제적으로 생산능력을 확대하고, 고대역폭 메모리(HBM) 등 글로벌 메모리 시장에서 주도권을 키운다는 목표다.

SK하이닉스는 25일 이사회 결의를 통해 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 페이즈(Phase) 2~6기 건설을 위해 21조 6081억 원을 투자하기로 결정했다고 공시했다. 투자 기간은 내달 1일부터 2030년 12월 31일까지다.

앞서 지난 2024년 7월, SK하이닉스는 1기 팹과 클러스터 초기 운영에 필요한 부대시설 건립을 위해 9조 4000억 원 투자를 결정했다. 이번 추가 투자로 1기 팹 건설에 투입하는 총 투자액은 약 31조 원으로 확대됐다.

이번 투자는 1기 팹의 골조 공사를 마무리하고, 페이즈 2~6까지 전체 클린룸을 구축하는데 활용한다. 이에 따라 1기 팹은 총 2개의 골조와 6개의 클린룸으로 구성되며, 클린룸 오픈은 기존 2027년 5월에서 같은 해 2월로 앞당길 예정이다.

SK하이닉스는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대에 416만㎡ 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터 일반 산단 내 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4개를 건설할 계획이다.

또 국내외 소부장(소재·부품·장비) 기업 50여 곳과 함께 반도체 협력 단지를 구축하기로 하는 등 총 600조 원 규모 투자를 단계적으로 집행한다.

지난해 2월 1기 팹을 착공, 2027년 중으로 예정된 준공 시점을 앞당기기 위해 공사를 서두르고 있는 것으로 전해졌다.

1기 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 ‘글로벌 AI 반도체 생산 거점’으로 성장시킨다는 계획이다.

1기 팹에서는 회사의 주력인 HBM을 비롯해 차세대 D램을 생산한다. 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 타 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있을 전망이다.